Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP II 44-Pin, Organisation: 256 k x 16 Bit, Zugriffszeit max.: 45ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 18.517 x 10.262 x 1.044mm, Höhe: 1.04mm, Arbeitsspannnung max.: 3,6 V, MPN: CY621472E30LL-45ZSXI
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP II 44-Pin
Specifications of Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 1MHz, 16bit / Wort 16bit, TSOP II 44-Pin | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |