Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A, 3-Pin TO-252
About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD14N06S280ATMA2.: 0,08 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,08 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD14N06S280ATMA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A, 3-Pin TO-252
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Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A, 3-Pin TO-252 | |
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