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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: SIHL540STRL-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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StarTech.com Sub-D Adapter, Buchse 9-polig zu Buchse RJ45, Gewandelt von Gender: Female, Gewandelt von Typ: D-Sub 9-polig, Distrelec Product Id: 30252465, Standards: CE, REACH, RoHS, MPN: GC98FF
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    • Microchip MIC24066 EVB Evaluierungsplatine Evaluierungsplatine, Zum Einsatz mit: MIC24067, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsbausatz, Kit-Name: EV69G45A
    • Microchip MIC24066 EVB Evaluierungsplatine Evaluierungsplatine, Zum Einsatz mit: MIC24067, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsbausatz, Kit-Name: EV69G45A