Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
About The 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SISA04DN-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 40 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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