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Nichicon YX Folienkondensator 22nF ±10% / 100V Dc, Radial Raster 5mm

About The 5 x 13mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussdurchmesser: 0.

Nichicon YX Folienkondensator 22nF ±10% / 100V dc, Radial Raster 5mm, Spannung: 100V dc, Länge: 7mm, Tiefe: 3.5mm, Höhe: 13mm, Abmessungen: 7 x 3.5 x 13mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: QYX2A223KTP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Kondensatoren > Folienkondensatoren

Nichicon YX Folienkondensator 22nF ±10% / 100V Dc, Radial Raster 5mm

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Specifications of Nichicon YX Folienkondensator 22nF ±10% / 100V Dc, Radial Raster 5mm

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Nichicon YX Folienkondensator 22nF ±10% / 100V Dc, Radial Raster 5mm
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Samtec TSM Stiftleiste Gerade, 5-polig / 1-reihig, Raster 2.54mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Nicht ummantelt, Montagetyp: Oberflächenmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 7A, MPN: TSM-105-02-L-SV
    • TE Connectivity HSA25 Wickel Lastwiderstand 68Ω ±5% / 25W, Alu Gehäuse Lötanschluss, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Anschlussart: Lötöse, Temperaturkoeffizient min.: -50ppm/°C, Temperaturkoeffizient max.: +50ppm/°C, MPN: HSA2568RJ
    • Igus Iguform S270 Stirnrad 32 Zähne / Modul 2, Wälzkreis-Ø 64mm, Nabe Ø 26mm / Bohrung 10mm, MPN: S270GM-ST-200-032-00-100-R

    Igus Iguform S270 Stirnrad 32 Zähne / Modul 2, Wälzkreis-Ø 64mm, Nabe Ø 26mm / Bohrung 10mm, MPN: S270GM-ST-200-032-00-100-R

    Igus Iguform S270 Stirnrad 32 Zähne / Modul 2, Wälzkreis-Ø 64mm, Nabe Ø 26mm / Bohrung 10mm.

    • Infineon HEXFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, MPN: IRF7105TRPBF
    • Infineon HEXFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, MPN: IRF7105TRPBF