Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.41mm, MPN: IPD90P04P4L04ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |