Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,165 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSZ16DN25NS3GATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 X 3
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 X 3 | |
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