Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 40 A 26 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 8,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3.4mm, MPN: BSZ060NE2LSATMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 40 A 26 W, 8-Pin TSDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 40 A 26 W, 8-Pin TSDSON | |
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