Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,9 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 650 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPAN60R650CEXKSA1
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,9 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,9 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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