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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 1 μH 1.15A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 150MHz

About The 15A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 150MHz, Tiefe: 2

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 1 μH 1.15A AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 150MHz, Tiefe: 2.5mm, Höhe: 2.2mm, Abmessungen: 3.2 x 2.5 x 2.2mm, Gleichstromwiderstand max.: 100mΩ, Induktivitätsbauweise: Ferritkern, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82422H1102K000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 1 μH 1.15A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 150MHz

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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 1 μH 1.15A AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 1210 (3225M) Gehäuse 3.2mm / ±10%, 150MHz

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