Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
About The : 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: +150 °C, MPN: TK10A80E,S4X(S
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK10A80E,S4X(S
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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