onsemi MMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 80, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 180 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 0.94 x 2.9 x 1.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi MMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 MA, SOT-23 3-Pin
Specifications of Onsemi MMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 MA, SOT-23 3-Pin | |
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