Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 14,4 A 56,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5.99mm, MPN: Si7190ADP-T1-RE3
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Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 14,4 A 56,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 14,4 A 56,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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