STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.6mm, MPN: STD1NK60T4
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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