Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.3mm, MPN: SPD08P06P
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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,8 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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