Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP
About The 4V, Gate-Schwellenspannung min.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP, Drain-Source-Widerstand max.: 3,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +10 V, Länge: 6.1mm, MPN: CSD16321Q5
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
