Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON
About The 49mm, MPN: BSC067N06LS3GATMA1.: 1
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 12,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.49mm, MPN: BSC067N06LS3GATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON
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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON | |
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