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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1,38 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 1,38 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.75mm, MPN: STW11NK100Z

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247

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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247
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