Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 64 A 63 W, 3-Pin TO-220
About The .: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 64 A 63 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.75mm, MPN: IRFI3205PBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 64 A 63 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 64 A 63 W, 3-Pin TO-220 | |
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