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Onsemi MUN5215DW1T1G SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 100 MA 10 KHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

About The : 160, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 50 V dc, Basis-Emitter Spannung max

onsemi MUN5215DW1T1G SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 100 mA 10 kHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max.: 385 mW, Gleichstromverstärkung min.: 160, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 50 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi MUN5215DW1T1G SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 100 MA 10 KHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

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EPCOS B32560 Folienkondensator 1.5nF ±10% / 400V dc, THT Raster 7.5mm, Spannung: 400V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 9mm, Tiefe: 2.5mm, Höhe: 5.5mm, Abmessungen: 9 x 2.5 x 5.5mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussklemmentyp: Radial, Verlustleistungsfaktor: 30 % @ 100 kHz, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B32560J6152K000
    • LEDLENSER 502797 LED Stirnlampe 800 lm / 160 m, 1 x Lithium-Ionen Akku, Wiederaufladbar: Ja, Gefahrenbereich: Nein, MPN: HF6R Core White
    • LEDLENSER 502793 LED Stirnlampe 500 lm / 130 m, 1 x Lithium-Ionen Akku, Wiederaufladbar: Ja, Gefahrenbereich: Nein, MPN: HF4R Work
    • TDK, C, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 4.7μF ±10% / 50V dc, Gehäuse 1210 (3225M), Kapazität: 4.7µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.2 x 2.5 x 2.3mm, Länge: 3.2mm, Tiefe: 2.5mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, Entstörklasse: Class 2, MPN: C3225X7S1H475K230AE
    • EPCOS B32529 Folienkondensator 2.2nF ±5% / 250V dc, THT Raster 5mm, Spannung: 250V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 7.3mm, Tiefe: 2.5mm, Höhe: 6.5mm, Abmessungen: 7.3 x 2.5 x 6.5mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussklemmentyp: Radial, Verlustleistungsfaktor: 30 % @ 100 kHz, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B32529C3222J000
    • EPCOS B32521 Folienkondensator 100nF ±5% / 100V dc, THT Raster 10mm, Spannung: 100V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 13mm, Tiefe: 4mm, Höhe: 7mm, Abmessungen: 13 x 4 x 7mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussklemmentyp: Radial, Verlustleistungsfaktor: 30 % @ 100 kHz, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B32521C1104J000
    • EPCOS B32529 Folienkondensator 10nF ±5% / 630V dc, THT Raster 5mm, Spannung: 630V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 7.5mm, Höhe: 10mm, Abmessungen: 7.5 x 5 x 10mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussklemmentyp: Radial, Verlustleistungsfaktor: 30 % @ 100 kHz, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B32529C8103J000
    • onsemi MUN5215DW1T1G SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 100 mA 10 kHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max.: 385 mW, Gleichstromverstärkung min.: 160, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 50 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm
    • EPCOS B32529 Folienkondensator 10nF ±5% / 630V dc, THT Raster 5mm, Spannung: 630V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 7.5mm, Höhe: 10mm, Abmessungen: 7.5 x 5 x 10mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussklemmentyp: Radial, Verlustleistungsfaktor: 30 % @ 100 kHz, Anschlussdurchmesser: 0.5mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: B32529C8103J000
    • onsemi MUN5215DW1T1G SMD, NPN Transistor Dual 50 V / 100 mA 10 kHz, SOT-363 (SC-88) 6-Pin, Verlustleistung max.: 385 mW, Gleichstromverstärkung min.: 160, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: 50 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 1mm