Infineon HEXFET IRLR3103TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.39mm
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Infineon HEXFET IRLR3103TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRLR3103TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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