Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 39 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Höhe: 2.39mm, MPN: IRLR2908TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 39 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 39 A 120 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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