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Vishay SQ Rugged SQ7415AEN-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 53 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

About The Vishay SQ Rugged SQ7415AEN-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 53 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 138 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

Vishay SQ Rugged SQ7415AEN-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 53 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 138 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.04mm, Länge: 3.05mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay SQ Rugged SQ7415AEN-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 53 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Specifications of Vishay SQ Rugged SQ7415AEN-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 11 A 53 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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