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Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 1,5 W, 6-Pin WDFN

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onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 1,5 W, 6-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 268 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Länge: 2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDMA2002NZ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 1,5 W, 6-Pin WDFN

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Specifications of Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 1,5 W, 6-Pin WDFN

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Onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,9 A 1,5 W, 6-Pin WDFN
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RS PRO Verstellbarer Fuß M24 bis 2500kg x 200mm, bis 30° neigbar / Edelstahl x 237mm, Farbe: Schwarz

RS PRO Verstellbarer Fuß M24 bis 2500kg x 200mm, bis 30° neigbar / Edelstahl x 237mm, Farbe: Schwarz

RS PRO Verstellbarer Fuß M24 bis 2500kg x 200mm, bis 30° neigbar / Edelstahl x 237mm.

    • RS PRO Verstellbarer Fuß M20 bis 1500kg x 200mm, bis 10° neigbar / Edelstahl x 242mm, Shore-Härte: 80 Shore A

    RS PRO Verstellbarer Fuß M20 bis 1500kg x 200mm, bis 10° neigbar / Edelstahl x 242mm, Shore-Härte: 80 Shore A

    RS PRO Verstellbarer Fuß M20 bis 1500kg x 200mm, bis 10° neigbar / Edelstahl x 242mm.

    • onsemi BC857CWT1G SMD, PNP Transistor –45 V / –200 mA 100 MHz, SOT-323 (SC-70) 3-Pin, Verlustleistung max.: 150 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 5,5 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 780 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.6mm, MPN: STD9N60M2
    • STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 5,5 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 780 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.6mm, MPN: STD9N60M2