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STMicroelectronics Klasse A-B Audioverstärker IC Digitaler Audio-Leistungsverstärker CMOS PowerSO20 32W 20-Pin

About The : 18 V, MPN: E-TDA7391PDTR.STMicroelectronics Klasse A-B Audioverstärker IC Digitaler Audio-Leistungsverstärker CMOS PowerSO20 32W 20-Pin, Anwendung: Leistungsstarke Autoradio-Anwendungen, Montage-Typ: SMD, Versorgungsspannung einzeln typ

STMicroelectronics Klasse A-B Audioverstärker IC Digitaler Audio-Leistungsverstärker CMOS PowerSO20 32W 20-Pin, Anwendung: Leistungsstarke Autoradio-Anwendungen, Montage-Typ: SMD, Versorgungsspannung einzeln typ.: 18 V, MPN: E-TDA7391PDTR

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Verstärker und Komparatoren > Audioverstärker Ics

STMicroelectronics Klasse A-B Audioverstärker IC Digitaler Audio-Leistungsverstärker CMOS PowerSO20 32W 20-Pin

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Specifications of STMicroelectronics Klasse A-B Audioverstärker IC Digitaler Audio-Leistungsverstärker CMOS PowerSO20 32W 20-Pin

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STMicroelectronics Universaltreiber TTL 20000 mA 40V 3-Pin D2PAK 500ns, MPN: VNB14NV04TR-E

STMicroelectronics Universaltreiber TTL 20000 mA 40V 3-Pin D2PAK 500ns, MPN: VNB14NV04TR-E

STMicroelectronics Universaltreiber TTL 20000 mA 40V 3-Pin D2PAK 500ns.

    • RS PRO Unterlegscheibe-Thermoelement Typ J, Ø 8mm x 2m → +350°C, Serie: Washer Thermocouple, Anschlussart: Standardstecker, Erfüllte Normen: ICE, RoHS-konform
    • HARTING Sub-D Gehäuse Gerade, 15-polig, Größe A, aus Thermoplast, MPN: 09670150424

    HARTING Sub-D Gehäuse Gerade, 15-polig, Größe A, aus Thermoplast, MPN: 09670150424

    HARTING Sub-D Gehäuse Gerade, 15-polig, Größe A, aus Thermoplast.

    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 24,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.39mm, MPN: IRFR4105ZTRPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 24,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 2.39mm, MPN: IRFR4105ZTRPBF