Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,25 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SIHA17N80AE-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |