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Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

About The Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 2 → 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SIHA17N80AE-GE3

Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,25 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: SIHA17N80AE-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

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Specifications of Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP

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Vishay E N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 7 A, 3-Pin TO-220 FP
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