Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: +150 °C, MPN: TK72E12N1,S1X(S
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 4,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK72E12N1,S1X(S
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
