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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7

About The Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IMBG65R048M1HXTMA1

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IMBG65R048M1HXTMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7

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Specifications of Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7

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Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7
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Phoenix Contact MSTBU 2.5/18-STD-5.08 Steckbarer Klemmenblock Steckverbinder 18-Kontakte 5.08mm-Raster, Anschlussart: Schrauben, Nennstrom: 12A, Betriebsspannung: 630 V, Farbe: Grün, Material: Polyamid, Zinn, MPN: 1824285
    • RS PRO Messing Stab, Ø 5mm, Länge 500mm, Materialqualität: CZ121/CW614N, Härte: 130 bis 150 HV, Toleranz – Länge: ± 2mm, Dichte: 8.47g/cm³, Wärmeleitfähigkeit: 123 W/m.k at 100°c
    • TE Connectivity 3560 Dickschicht SMD-Widerstand 1.8MΩ ±5% / 6W ±100ppm/°C, 4257 (11070M. Gehäuse

    TE Connectivity 3560 Dickschicht SMD-Widerstand 1.8MΩ ±5% / 6W ±100ppm/°C, 4257 (11070M. Gehäuse

    TE Connectivity 3560 Dickschicht SMD-Widerstand 1.: -55°C, Betriebstemperatur max.8MΩ ±5% / 6W ±100ppm/°C, 4257 (11070M.

    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 39 A, 7-Pin TO-263-7, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IMBG65R057M1HXTMA1
    • TE Connectivity 3560 Dickschicht SMD-Widerstand 820Ω ±5% / 6W ±100ppm/°C, 4257 (11070M. Gehäuse

    TE Connectivity 3560 Dickschicht SMD-Widerstand 820Ω ±5% / 6W ±100ppm/°C, 4257 (11070M. Gehäuse

    : +155°C, MPN: 2176408-7. Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

    • Vishay VO SMD Optokoppler / Phototransistor-Out, 4-Pin SMD, MPN: VO615A-3X007T

    Vishay VO SMD Optokoppler / Phototransistor-Out, 4-Pin SMD, MPN: VO615A-3X007T

    Vishay VO SMD Optokoppler / Phototransistor-Out, 4-Pin SMD.

    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IMBG65R048M1HXTMA1
    • Nexperia SMD Schottky Diode, 60V / 1A, 2-Pin SOD-123, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Gleichrichter, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 9A, MPN: PMEG6010CEGWX
    • Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 45 A, 7-Pin TO-263-7, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IMBG65R048M1HXTMA1
    • Nexperia SMD Schottky Diode, 60V / 1A, 2-Pin SOD-123, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Gleichrichter, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 9A, MPN: PMEG6010CEGWX