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STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 12 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 350 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 12 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 350 m Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.5V, Höhe: 4.37mm, MPN: STB12NM50T4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 12 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 12 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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STMicroelectronics N-Kanal, SMD MOSFET / 12 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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