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Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,4 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

About The : 3.Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,4 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,4 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 900 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK5A60W,S4VX(M

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,4 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

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Specifications of Toshiba Battery Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5,4 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS

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