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Onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin

About The 3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max

onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 mA 100 MHz, SOT-563 6-Pin, Verlustleistung max.: 661 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin

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Specifications of Onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin

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Onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 MA 100 MHz, SOT-563 6-Pin
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Cressall HP Wickel Lastwiderstand 100Ω ±10% / 600W, Röhrenförmig, -25°C → +50°C, Abmessungen: 267 x 55 x 95mm, Gesamtlänge: 267mm, Gesamtbreite: 55mm, MPN: HP600-100R-F
    • ideal-tek Edelstahl Pinzette, 120 mm, Spitze Flach, Abgerundet Antimagnetisch, Antimagnetisch: Ja, MPN: 2A.SA

    ideal-tek Edelstahl Pinzette, 120 mm, Spitze Flach, Abgerundet Antimagnetisch, Antimagnetisch: Ja, MPN: 2A.SA

    ideal-tek Edelstahl Pinzette, 120 mm, Spitze Flach, Abgerundet Antimagnetisch.

    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 46,3 A 3,7 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Dauer-Drainstrom max.: 32,7 A (Status), 46,3 Á (konstant), Gehäusegröße: TO-252 (DPAK), Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: DMTH10H025SK3-13
    • Mersen Feinsicherung F / 8A 6.3 x 32mm 250V ac Glas, Betriebsspannung: 250V ac, MPN: MI6SF25V8
    • Legris LF3000 G1/8 Stecker x G1/4 Stecker Gerader Gewindeadapter, Mit Gewinde, Messing, 60 bar, Betriebstemperatur (max.): +80°C, Betriebstemperatur (min.): -10°C, MPN: 0901 10 13
    • TRACOPOWER TEM 3N DC/DC-Wandler 3W 12 V dc IN, ±15V dc OUT / ±100mA Durchsteckmontage 1.5kV dc isoliert, Ausgangsspannung: ±15V dc, Eingangsspannung: 10,8 → 13,2 V dc, Isoliert: Ja, Gehäuse: DIP 24, Isolationsspannung: 1.5kV dc, Tiefe: 10mm, Länge: 32mm, Lastausregelung: ±3%, Wirkungsgrad: 82%, MPN: TEM 3-1223N
    • RS PRO Einlegeboden, Polystyrol, Typ: Dokumententasche, Abmessungen: 278 x 234 x 40mm, Distrelec Product Id: 30418780
    • onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 mA 100 MHz, SOT-563 6-Pin, Verlustleistung max.: 661 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • RS PRO Einlegeboden, Polystyrol, Typ: Dokumententasche, Abmessungen: 278 x 234 x 40mm, Distrelec Product Id: 30418780
    • onsemi NST30010MXV6T1G SMD, PNP Transistor Dual –30 V / -100 mA 100 MHz, SOT-563 6-Pin, Verlustleistung max.: 661 mW, Gleichstromverstärkung min.: 420, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C