onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 10 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.9V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V dc, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: BVSS84LT1G
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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 MA 225 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 MA 225 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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