Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD60R180C7ATMA1.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD60R180C7ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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