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Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

About The Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL60R065C7AUMA1

Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL60R065C7AUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

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Specifications of Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

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