Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL65R070C7AUMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOSâ„¢ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
Specifications of Infineon CoolMOSâ„¢ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |