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Infineon CoolMOSâ„¢ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL65R070C7AUMA1.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL65R070C7AUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOSâ„¢ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

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Specifications of Infineon CoolMOSâ„¢ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8

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