Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
About The Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL65R195C7AUMA1
Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.: 195 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPL65R195C7AUMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8
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Specifications of Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 X 8 | |
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