Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IRFH5020TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |