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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

About The : 55 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IRFH5020TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IRFH5020TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 34 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6

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