Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 42 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, MPN: IRL80HS120
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020 | |
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