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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020

About The : 2V, MPN: IRL80HS120.: 42 mO, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 42 mO, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, MPN: IRL80HS120

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12,5 A, 6-Pin DFN2020

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