Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,3 Ohm, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, MPN: SPD04N80C3ATMA1
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Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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