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Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3

About The : 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3, Drain-Source-Widerstand max.: 121 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 8 V, Länge: 1.15mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: PMXB40UNEZ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3

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Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3

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