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ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3)

About The ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3)

ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3)

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Specifications of ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3)

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ROHM 2SAR567F3TR SMD, PNP Transistor -120 V / –2,5 A, DFN2020-3S (Huml2020L3)
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Infineon Phasenanschnittgesteuert Thyristor 2610A To-200AD 1800V 36kA, Gate-Triggerstrom max.: 250mA, Pinanzahl: 4, Durchlassspannung-Spitzenwert: 1.7V, MPN: T2600N18TOFVTXPSA1
    • Infineon Phasenanschnittgesteuert Thyristor 3800A To-200AE 1600V 53kA, MPN: T3800N16TOFVTXPSA1

    Infineon Phasenanschnittgesteuert Thyristor 3800A To-200AE 1600V 53kA, MPN: T3800N16TOFVTXPSA1

    Infineon Phasenanschnittgesteuert Thyristor 3800A To-200AE 1600V 53kA.

    • Microchip 128kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell-SPI Interface, PDIP, 160ns THT 16K x 8 Bit, 16k x 8-Pin 8bit, Arbeitsspannnung min.: 2,5 V, Arbeitsspannnung max.: 5,5 V, Programmierspannung: 2.5 → 5.5V, Abmessungen: 9.4 x 6.35 x 3.3mm, Automobilstandard: AEC-Q100, Datenerhalt: 200Jahr, Betriebstemperatur max.: +85 °C, MPN: 25LC128-I/P
    • ROHM BC847CHZGT116 SMD, THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23, Gleichstromverstärkung min.: 420

    ROHM BC847CHZGT116 SMD, THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23, Gleichstromverstärkung min.: 420

    ROHM BC847CHZGT116 SMD, THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23.

    • ROHM BC847CHZGT116 SMD, THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23, Gleichstromverstärkung min.: 420

    ROHM BC847CHZGT116 SMD, THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23, Gleichstromverstärkung min.: 420

    ROHM BC847CHZGT116 SMD, THT, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23.