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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON

About The Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, MPN: BSC019N04NSGATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON
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WIMA MKS4 Folienkondensator 2.2μF ±10% / 63 V ac, 100 V dc, THT Raster 15mm, Kapazität: 2.2µF, Montageart: Durchsteckmontage, Länge: 18mm, Abmessungen: 8 x 15 x 18mm, Dielektrikum: Polyester, Anschlussdurchmesser: 0.8mm, Betriebstemperatur max.: +100°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: MKS4D042204F00KSSD
    • RF Solutions HF Adapter, 50Ω, Weiblich - Male, gewinkelt, MPN: ADP-FF-FM90

    RF Solutions HF Adapter, 50Ω, Weiblich - Male, gewinkelt, MPN: ADP-FF-FM90

    RF Solutions HF Adapter, 50Ω, Weiblich - Male, gewinkelt.

    • EPCOS B43644 Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 270μF ±20% / 450V dc, Ø 30mm x 35mm, bis 105°C, Kapazität: 270µF, Spannung: 450V dc, Abmessungen: 30 (Dia.) x 35mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 10mm, Lebensdauer: >175000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 370mΩ, Brummstrom: 3.38A, MPN: B43644B5277M000
    • Midas Schnittstellenleiterplatte, Zum Einsatz mit: Flache flexible Kabel mit 0,5 und 0,3 mm Rastermaß, Technologie: LCD, OLED, Klassifizierung: Schnittstellenkarten, MPN: MPBV2
    • Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 33 μH 1.1A AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 5030 Gehäuse 4.9mm / 20%, Geschirmt: Ja, MPN: 74408053330
    • Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 900mA AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 5030 Gehäuse 4.9mm / 20%, Geschirmt: Ja, MPN: 74408053220

    Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 900mA AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 5030 Gehäuse 4.9mm / 20%, Geschirmt: Ja, MPN: 74408053220

    Wurth Elektronik WE-HEPC Induktivität PowerCore, 22 μH 900mA AEC-Q200-001 mit Polystyrol-Kern, 5030 Gehäuse 4.

    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, MPN: BSC019N04NSGATMA1
    • Festo VN Vakuumpumpe, 0.7mm Düse, 13.5l/min, bis 5.8bar, Eingangsdruck (max.): 6bar, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Betriebsdruck: 1-8bar, MPN: VN-07-M-I3-PQ2-VQ2
    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 1,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, MPN: BSC019N04NSGATMA1
    • Festo VN Vakuumpumpe, 0.7mm Düse, 13.5l/min, bis 5.8bar, Eingangsdruck (max.): 6bar, Betriebstemperatur (max.): +60°C, Betriebsdruck: 1-8bar, MPN: VN-07-M-I3-PQ2-VQ2