Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 2 → 4V, MPN: SIHD11N80AE-GE3.Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max
Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,391 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V, MPN: SIHD11N80AE-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Vishay E N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 8 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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