onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FQPF33N10L
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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F | |
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