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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F

About The : 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Länge: 10

onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FQPF33N10L

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F

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Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F

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Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 18 A 41 W, 3-Pin TO-220F
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