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ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 300 A 1875 W, 4-Pin C

About The .: 4V, Gate-Schwellenspannung min

ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 300 A 1875 W, 4-Pin C, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.6V, Länge: 152mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSM300D12P2E001

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 300 A 1875 W, 4-Pin C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 300 A 1875 W, 4-Pin C

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