Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 94 A 580 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.9mm, MPN: IRFP90N20DPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 94 A 580 W, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 94 A 580 W, 3-Pin TO-247AC | |
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