Infineon OptiMOS 3 BSC054N04NS G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 81 A 57 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 5,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS 3 BSC054N04NS G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 81 A 57 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC054N04NS G N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 81 A 57 W, 8-Pin TDSON | |
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