Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 32 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm, MPN: BSC320N20NS3GATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON | |
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