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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 MW, 3-Pin SOT-323

About The : 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.9mm, Länge: 2

onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.9mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTS4173PT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 MW, 3-Pin SOT-323

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Specifications of Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 MW, 3-Pin SOT-323

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Onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 MW, 3-Pin SOT-323
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Parker Hydraulik-Außengewindestopfen, BSPP 1 1/4 Außengewinde - UNF 1 1/16-12 Außengewinde, Stecker A - Gewindegröße: 1 1/4-11Zoll, Stecker B - Gewindegröße: 1 1/16-12Zoll, MPN: 12-20F42EDMXS
    • Norgren Pneufit C 10-mm-Steckanschluss x 10-mm-Steckanschluss, PBT, Stecker C: Steckmontage 12 mm, MPN: C00821210
    • RS PRO Zylinderkopf Innensechskantschraube, Edelstahl A2, M8 x 1.25mm, 16mm, Metrisch oder zöllig: metrisch, Edelstahltyp: A2 304, Finish: Glatt, Erfüllte Normen: DIN 912
    • Samsung Electro-Mechanics Samsung, CL, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 22nF ±5% / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.65mm, Länge: 2mm, Tiefe: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: CL21B223JBANNNC
    • 11.05mm, HC-49/U-S, 2-Pin, Abmessungen: 11.05 x 4.65 x 3.5mm, Frequenz-Stabilität: ±30ppm, Reihenwiderstand: 80Ω, Betriebstemperatur max.: 85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: QCL24.5760F18B23B
    • RS PRO HDPE Laborflasche 250ml, Ø 60mm Vorratsflasche Weithalsig 60 (Dia.) x 141mm

    RS PRO HDPE Laborflasche 250ml, Ø 60mm Vorratsflasche Weithalsig 60 (Dia.) x 141mm

    RS PRO HDPE Laborflasche 250ml, Ø 60mm Vorratsflasche Weithalsig 60 (Dia.) x 141mm.

    • 11.05mm, HC-49/U-S, 2-Pin, Abmessungen: 11.05 x 4.65 x 3.5mm, Frequenz-Stabilität: ±30ppm, Reihenwiderstand: 50Ω, Betriebstemperatur max.: 85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: QCL12.0000F18B23B
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.9mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTS4173PT1G
    • 11.05mm, HC-49/U-S, 2-Pin, Abmessungen: 11.05 x 4.65 x 3.5mm, Frequenz-Stabilität: ±30ppm, Reihenwiderstand: 50Ω, Betriebstemperatur max.: 85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: QCL12.0000F18B23B
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,3 A 350 mW, 3-Pin SOT-323, Gehäusegröße: SOT-323 (SC-70), Drain-Source-Widerstand max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.9mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTS4173PT1G