Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 272 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 1,25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.95V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.05V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN0R9-25YLC
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Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 272 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 272 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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